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分享:厚膜漿料用高質(zhì)量均一金粉的制備

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2024-06-26 10:32:42【

隨著我國軍事裝備的快速發(fā)展,電子設(shè)備用低溫共燒陶瓷(LTCC)逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代,其核心部分厚膜漿料得到快速發(fā)展[1]。目前厚膜漿料所用導(dǎo)體相如銀粉、銀鈀粉等均已實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn),但是金粉主要從美國進(jìn)口,國產(chǎn)金粉因球形度低、粒徑分布寬等問題導(dǎo)致厚膜漿料燒結(jié)后附著力差,無法滿足LTCC厚膜漿料的需求,因此自主研制一款高性能金粉十分迫切[2]

為滿足LTCC厚膜漿料用金粉導(dǎo)體相的需求,針對國產(chǎn)金粉存在粒徑分布寬、球形度低、分散性差的問題[3]。本文通過調(diào)整金粉制備條件,研究氧化還原體系中反應(yīng)物濃度、分散劑加入量、溫度、攪拌速度等因素對金粉形貌的影響,制備出一款粒徑均一、高球形度的光滑球粉,可在幾款LTCC漿料中實(shí)現(xiàn)金粉導(dǎo)電相國產(chǎn)化替代。

還原劑維生素C(VC):食品級,安徽源勝生物科技有限公司;氯金酸:分析純,上海吉至生化科技有限公司;濃硫酸、濃鹽酸、濃硝酸:工業(yè)級,安徽金粵冠新材料科技有限公司;碳酸氫鈉:分析純,應(yīng)城市祥發(fā)化工有限責(zé)任公司;聚乙烯吡咯烷酮(PVP):分析純,山東豪順化工有限公司。實(shí)驗(yàn)中采用的儀器包括:集熱式恒溫加熱磁力攪拌器、數(shù)控超聲波清洗器、磁力攪拌器、電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱、掃描電子顯微鏡、激光粒度檢測儀。

采用激光粒度檢測儀對金粉粒徑進(jìn)行表征。激光粒度檢測儀基于光散射技術(shù)可分析樣品顆粒的大小及分布。

圖1(a)為金粉反應(yīng)裝置圖,圖1(b)為金粉制備流程圖,具體步驟如下:

(1)稱取一定量氯金酸鹽于10 mL燒杯中,加入5 mL水及4 mL王水(濃鹽酸體與濃硝酸體積比為3∶1),將燒杯放在超聲波清洗器中處理30 min至氯金酸鹽完全溶解,將氯金酸鹽溶液定容至15 mL;

(2)將15 mL氯金酸鹽溶液置于50 mL燒杯中,向其中滴加質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%的碳酸氫鈉直至無氣泡產(chǎn)生,加水使溶液體積至50 mL,超聲處理15 min,得到溶液A;

(3)量取25 mL水于100 mL圓底燒瓶中,加入PVP,逐滴加入1 mL濃硫酸,將圓底燒瓶放置在60 ℃水浴鍋中攪拌10 min,向圓底燒瓶中加入VC充分?jǐn)嚢瑁玫饺芤築;

(4)將50 mL溶液A置于滴液漏斗中,將滴液漏斗安裝在圓底燒瓶上,如圖1(a)所示,打開滴液漏斗開關(guān),逐滴滴加溶液A于B中,滴加完畢后繼續(xù)攪拌2 h,過濾烘干后得到球形金粉。

氯金酸鹽在酸性環(huán)境下被VC還原為金原子,金原子被分散劑捕獲聚集成金晶核,晶核生長為微納米金球,金球的形貌由成核速度和晶核生長速度共同決定。氯金酸鹽濃度、VC含量、PVP加入量及反應(yīng)過程中攪拌速度、滴加速度、溫度等因素會影響氯金酸的還原速率、金晶核數(shù)量及生長速度,并最終影響金粉的球形度、粒徑等表面形貌,通過激光粒度檢測及掃描電子顯微鏡分析形貌,研究反應(yīng)體系各因素對金粉形貌的影響規(guī)律。表1為金粉實(shí)驗(yàn)條件參數(shù)表。


通過改變金鹽加入量來研究其對金粉粒徑的影響規(guī)律,VC加入量為1 g,PVP加入量為1 g,滴加速度為1 mL/min,攪拌速度為200 r/min,反應(yīng)溫度為30 ℃,不同金鹽加入量及激光粒度檢測結(jié)果如表2所示。

表2可以看出,隨金鹽加入量增加,金粉的D50增大,D90D10差值變大。金鹽作為氧化劑對成核速度及晶核生長速度均有較大影響,隨加入量增加,體系中的金離子濃度增加,氧化還原速率增加,成核速度大于晶核生長速度,在成核階段,參與反應(yīng)的金離子越多,生成的晶核越多,同時晶核生長速度因金鹽加入量多而比較快,導(dǎo)致晶核生長不受控制[4],晶核生長速度不一致,金粉粒徑不受控制,因此粒徑分布寬度D90D10差值從1.6 μm增大到2.9 μm,同時因?yàn)楸贿€原的金增多,D50粒徑從1.6 μm增加到2.3 μm。高的金鹽濃度可加快成核速度及晶核生長速度進(jìn)而影響金粉的粒徑大小,金鹽最佳加入量為1 g,此時D90D10差值最小。

通過改變VC加入量來研究其對金粉粒徑的影響規(guī)律,金鹽加入量為1 g,PVP加入量為1 g,滴加速度為1 mL/min,攪拌速度為200 r/min,反應(yīng)溫度為30 ℃,不同VC加入量及激光粒度檢測結(jié)果如表3所示。


表3可以看出,隨還原劑VC加入量增加,金粉的D50減小,D90D10差值無明顯變化。VC主要影響反應(yīng)初始階段的成核速度,反應(yīng)初期成核階段,隨VC加入量增加,在同一時間內(nèi)被還原的金離子數(shù)量增多,有大量的金原子生成并形成晶核,成核速度快,過多的晶核因金鹽不足生長受限,因此D50不斷減小。因下游客戶印刷、通孔漿料的填孔性金屬粉體與基片的燒結(jié)匹配性(金膜致密性、填孔金漿燒結(jié)與基片膨脹匹配性好)等需求,LTCC 漿料需具有優(yōu)異的流動性和燒結(jié)后與基片不出現(xiàn)裂紋,而D50為0.8 μm金粉比表面積大,吸油值偏高,濕重低,制備出的金漿密度偏低、黏度偏大,印刷效果和通孔流動性差,燒結(jié)后金膜致密性差(金膜層表面易出現(xiàn)微裂紋),與基片的燒結(jié)收縮小、匹配性較差,最終影響產(chǎn)品綜合性能。同時為對標(biāo)l μm的競品金粉,VC最佳加入量為2 g,此時D50為1.4 μm。

通過改變PVP加入量來研究其對金粉粒徑的影響規(guī)律,金鹽加入量為1 g,VC加入量為2 g,滴加速度為1 mL/min,攪拌速度為200 r/min,反應(yīng)溫度為30 ℃,不同PVP加入量及激光粒度檢測結(jié)果如表4所示。

表4可以看出,隨PVP加入量增加,金粉的D50保持不變,D90D10差值減小。PVP主要影響晶核生長速度,PVP在溶液中分散后,會在水相中形成微膠囊,在反應(yīng)過程中會吸附金原子并生成晶核,成核速度稍有提升,并能將還原的金原子不斷吸附在晶核表面生長,控制了晶核的生長,使金粉的形成更加穩(wěn)定[5],D90D10差值從1.5 μm減小到0.9 μm,因此對金粉的粒徑分布起到調(diào)控效果。PVP對金粉粒徑起到調(diào)節(jié)作用,主要影響粒徑分布,PVP最佳加入量為3 g,此時D90D10的差值最小。

通過改變金鹽滴加速度來研究其對金粉粒徑的影響規(guī)律,金鹽加入量為1 g,VC加入量為2 g,PVP加入量為3 g,攪拌速度為200 r/min,反應(yīng)溫度為30 ℃,不同滴加速度及激光粒度檢測結(jié)果如表5所示。從表5可以看出,隨金鹽滴加速率增加,金粉的D50減小,D90D10差值減小。滴加速度主要通過影響反應(yīng)初期成核速度來影響粒徑。滴加速率越慢,則反應(yīng)體系中金離子濃度變低,單位時間內(nèi)被還原的金原子減少,生成的晶核減少,金粉的粒徑變大,同時過低的滴加速率易使晶核間產(chǎn)生金原子競爭問題,導(dǎo)致晶核生長速率不均一,制備出的粒徑分布變寬[6]。滴加速率對金粉的粒徑和粒徑分布起調(diào)節(jié)作用,滴加速度最佳為5 mL/min,此時D90D10差值最小。


通過改變反應(yīng)攪拌速度來研究其對金粉粒徑的影響規(guī)律,金鹽加入量為1 g,VC加入量為2 g,PVP加入量為3 g,滴加速度為5 mL/min,反應(yīng)溫度為30 ℃,不同攪拌速度及激光粒度檢測結(jié)果如表6所示。

表6可以看出,隨攪拌速度增加,金粉的D50減小,D90D10差值增大。攪拌可以使金鹽與VC充分反應(yīng),影響成核速度和晶核生長速度。隨攪拌速度增加,金離子與VC反應(yīng)越充分,在反應(yīng)初始階段的成核速度越快,產(chǎn)生的晶核越多,D50越小,金原子在晶核表面的還原越徹底,晶核生長速度越不受控制,金粉粒徑越不均一。攪拌速度對金粉粒徑起到調(diào)節(jié)作用,主要影響粒徑分布,攪拌速度最佳為200 r/min,此時D90D10差值最小。

通過改變反應(yīng)溫度來研究其對金粉粒徑的影響規(guī)律,金鹽加入量為1 g,VC加入量為2 g,PVP加入量為3 g,滴加速度為5 mL/min,攪拌速度為200 r/min,不同反應(yīng)溫度及激光粒度檢測結(jié)果如表7所示。


溫度主要影響氧化還原速率,同樣影響成核速度和晶核生長速度,溫度越高,金離子被還原的速率越高,成核速度越快,在反應(yīng)初期生成的晶核越多,D50逐漸減少,但過高的溫度導(dǎo)致晶核生長速度過快,D90D10差值增大。反應(yīng)溫度主要影響粒徑分布,溫度最佳為60 ℃。

通過調(diào)整原料配比及反應(yīng)條件,當(dāng)金鹽加入量為1 g,VC加入量為2 g,PVP加入量為3 g,滴加速度為5 mL/min,攪拌速度為200 r/min,反應(yīng)溫度為60 ℃時制備出粒徑均一的球形金粉,制備出的金粉與市售金粉粒徑參數(shù)如表8所示,形貌如圖2所示。

表8可以看出,相比市售(國內(nèi))金粉,本文制備的金粉粒徑分布寬度更小,同市售(國外)相比均一性稍有下降。圖2可以看出制備出的金粉粒徑均一,表面光滑。

(1)反應(yīng)物濃度影響成核階段金晶核數(shù)量。金鹽濃度增加或還原劑濃度增加都會促使反應(yīng)體系產(chǎn)生更多的晶核,進(jìn)而可對金粉粒徑進(jìn)行調(diào)控。

(2)PVP能夠調(diào)節(jié)體系中晶核數(shù)量,減小晶核生長過程中的差異性,對金粉粒徑分布起調(diào)控作用。

(3)滴加速度、溫度等反應(yīng)條件可通過影響氧化還原速率來改變晶核生成和生長,對金粉粒徑及其分布有影響。

(4)金鹽加入量為1 g,VC加入量為2 g,PVP加入量為3 g,滴加速度為5 mL/min,攪拌速度為200 r/min,反應(yīng)溫度為60 ℃時制備1 μm的均一球形金粉,可用于LTCC厚膜漿料。



文章來源——金屬世界

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